Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222

Preview

Text Download (1MB) | Preview

Abstract

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических контактов к структурам n−n +−n ++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.

Item Type:	Article
Subjects:	Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions:	Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User:	С.В. Новицький
Date Deposited:	03 Feb 2014 07:37
Last Modified:	15 Aug 2015 05:39
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521

Actions (login required)

View Item