Саченко А. В., Беляев А. Е., Бобыль А. В., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Капитанчук Л. М., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Саксеев Д. А., Тарасов И. С., Шеремет В. Н., Яговкина М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). С. 348–355. ISSN 0015-3222.
ФТП 2012 T46 В3 p348-355.pdf
Завантажити (1MB) | Preview
Анотація
На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 03 Лют 2014 07:37 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 05:39 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521 |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу