Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Саксеев, Д. А., Тарасов, И. С., Шеремет, В. Н., Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222

[img]
Preview
Text
Download (1MB) | Preview
Official URL: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Abstract

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических контактов к структурам n−n +−n ++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 07:37
Last Modified: 15 Aug 2015 05:39
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521

Actions (login required)

View Item View Item