Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)

Беляев, А. Е. and Саченко, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Матвеева, Л. А. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222

[img]
Preview
Text
Download (165kB) | Preview
Official URL: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Abstract

Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со- противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n +−n ++(GaAs)-InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 07:36
Last Modified: 15 Aug 2015 05:39
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10522

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics