Беляев, А. Е., Саченко, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Матвеева, Л. А., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222
|
Text
Download (165kB) | Preview |
Abstract
Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со- противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n +−n ++(GaAs)-InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 07:36 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 05:39 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10522 |
Actions (login required)
 |
View Item |
