Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Ткаченко, А. К. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. pp. 61-62.

[img]
Preview
Text
Download (849kB) | Preview

Abstract

Об механизмах протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 16 Apr 2014 07:32
Last Modified: 15 Aug 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10531

Actions (login required)

View Item View Item