Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Новицкий С. В., Шеремет В. Н., Быков Ю. В., Егоров Ю. В., Еремеев А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). С. 333–336.
|
Текст
Download (413kB) | Preview |
Анотація
Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле- ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при- контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов. Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво- дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 03 Лют 2014 07:03 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 05:40 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536 |
Actions (login required)
 |
Оглянути опис ресурсу |
