Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.

[img]
Preview
Text
Download (413kB) | Preview
Official URL: http://portal.tpu.ru/science/konf/rtep

Abstract

Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле- ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при- контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов. Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво- дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 07:03
Last Modified: 15 Aug 2015 05:40
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics