Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Быков, Ю. В., Егоров, Ю. В., Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.
|
Text
Download (413kB) | Preview |
Abstract
Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле- ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при- контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов. Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво- дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 07:03 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 05:40 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536 |
Actions (login required)
 |
View Item |
