Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К

Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н., Пилипчук А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). С. 123–124.

[img]
Preview
Текст
Download (1MB) | Preview

Анотація

У статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву

Тип ресурсу: Стаття
Класифікатор: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Відділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач: С.В. Новицький
Дата подачі: 03 Лют 2014 06:53
Оновлення: 15 Серп 2015 05:40
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу Оглянути опис ресурсу