Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

[img]
Preview
Text
Download (1MB) | Preview

Abstract

У статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 06:53
Last Modified: 15 Aug 2015 05:40
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539

Actions (login required)

View Item View Item