Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

[img]
Preview
Text
Download (1MB) | Preview

Abstract

У статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 06:53
Last Modified: 15 Aug 2015 05:40
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539

Actions (login required)

View Item View Item