Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs

ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.

[img]
Preview
Text
Download (2MB) | Preview
Item Type: Patent
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 23 Apr 2014 06:42
Last Modified: 15 Aug 2015 06:16
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11036

Actions (login required)

View Item View Item