Шеремет В. Н., Саченко А. В., Беляев А. Е., Пилипенко В. А., Петлицкая Т. В., Анищик В. А., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Виноградов А. О.
(2014)
Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si.
Физика и техника полупроводников, 48 (4).
С. 509–513.
ISSN 0015-3222
Анотація
Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
Actions (login required)
 |
Оглянути опис ресурсу |
