Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si

Шеремет, В. Н. and Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Пилипенко, В. А. and Петлицкая, Т. В. and Анищик, В. А. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). pp. 509-513. ISSN 0015-3222

[img]
Preview
Text
Download (421kB) | Preview

Abstract

Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: Богдан Свищ
Date Deposited: 25 Nov 2014 12:18
Last Modified: 15 Aug 2015 10:28
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14146

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics