Шеремет, В. Н., Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Пилипенко, В. А., Петлицкая, Т. В., Анищик, В. А., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Виноградов, А. О.
(2014)
Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si.
Физика и техника полупроводников, 48 (4).
pp. 509-513.
ISSN 0015-3222
Abstract
Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
Actions (login required)
 |
View Item |
