Measurement of Surface Recombination Velocity and Bulk Lifetime in Si Wafers by the Kinetics of Excess Thermal Emission

Zinovchuk, A. V., Tkachenko, A. K. (2011) Measurement of Surface Recombination Velocity and Bulk Lifetime in Si Wafers by the Kinetics of Excess Thermal Emission. Semiconductors, 45 (1). с. 61-65. ISSN 1063-7826

[img]
Перегляд
Text
Download (209kB) | Перегляд
Тип елементу : Стаття
Теми: Q Наука > QC Фізика
Підрозділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує: Богдан Свищ
Дата внесення: 30 Бер 2016 13:14
Останні зміни: 30 Бер 2016 13:14
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/20653

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу