Technique and setup for diagnostics of p-n junction–package thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

Sorokіn V. М., Konakova R. V., Kudryk Y. Y., Zinovchuk A. V. (2012) Technique and setup for diagnostics of p-n junction–package thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 15 (12). С. 124–128. ISSN 1605-6582

[img]
Preview
Текст
Download (3MB) | Preview

Анотація

We present a setup and procedure of studying p-n junction–package thermal resistance in high-power light-emitting diodes (LEDs) from their thermal relaxation. A set of LEDs mounted on a metal-core printed circuit board (MCPCB) were studied. The contributions to the total thermal resistance from a heavy heat sink, MCPCB, heat slug and LED chip are separated.

Тип ресурсу: Стаття
Ключові слова: thermal resistance, light emitting diodes, nitrides
Класифікатор: Q Наука > QC Фізика
Відділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач: Богдан Володимирович Свищ
Дата подачі: 21 Лист 2012 11:58
Оновлення: 10 Жовт 2016 09:03
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8347

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу Оглянути опис ресурсу