Sorokіn V. М., Konakova R. V., Kudryk Y. Y., Zinovchuk A. V. (2012) Technique and setup for diagnostics of p-n junction–package thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 15 (12). С. 124–128. ISSN 1605-6582.
Preview
sqo 2012 N2 p124-128.pdf
Завантажити (3MB) | Preview
Анотація
We present a setup and procedure of studying p-n junction–package thermal
resistance in high-power light-emitting diodes (LEDs) from their thermal relaxation. A set of
LEDs mounted on a metal-core printed circuit board (MCPCB) were studied. The contributions to the total thermal resistance from a heavy heat sink, MCPCB, heat slug and
LED chip are separated.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Ключові слова: | thermal resistance, light emitting diodes, nitrides |
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | Богдан Володимирович Свищ |
| Дата подачі: | 21 Лист 2012 11:58 |
| Оновлення: | 10 Жовт 2016 09:03 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8347 |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу