Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr

Шелюк, І. О., Томашик, З. Ф., Томашик, В. М., Стратійчук, І. Б., Денисюк, Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2). pp. 411-415. ISSN 1729-4428

Preview

Text Download (477kB) | Preview

Abstract

Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.

Item Type:	Article
Uncontrolled Keywords:	Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
Subjects:	Q Science > QD Chemistry
Divisions:	Faculty of Natural Sciences > Department of Chemistry
Depositing User:	к.х.н Роман Денисюк
Date Deposited:	07 Dec 2012 11:42
Last Modified:	15 Aug 2015 02:43
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658

Actions (login required)

View Item