Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr

Шелюк, І. О. and Томашик, З. Ф. and Томашик, В. М. and Стратійчук, І. Б. and Денисюк, Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2). pp. 411-415. ISSN 1729-4428

[img]
Preview
Text
Download (477kB) | Preview

Abstract

Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
Subjects: Q Science > QD Chemistry
Divisions: Faculty of Natural Sciences > Department of Chemistry
Depositing User: к.х.н Роман Денисюк
Date Deposited: 07 Dec 2012 11:42
Last Modified: 15 Aug 2015 02:43
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics