relation: http://eprints.zu.edu.ua/10536/
title: Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5
creator: Саченко, А. В.
creator: Беляев, А. Е.
creator: Болтовец, Н. С.
creator: Конакова, Р. В.
creator: Кудрик, Я. Я.
creator: Новицкий, С. В.
creator: Шеремет, В. Н.
creator: Быков, Ю. В.
creator: Егоров, Ю. В.
creator: Еремеев, А. Г.
subject: QC Physics
subject: TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
description: Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов   к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-  ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-  контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.   Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-  дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.   
publisher: Томск: Изд. ТПУ
date: 2012-10
type: Article
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/10536/1/333-336_Konakova.pdf
identifier:   Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г.  (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5.  Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября).  pp. 333-336.      
relation: http://portal.tpu.ru/science/konf/rtep
language: russian