<mods:mods version="3.3" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-3.xsd" xmlns:mods="http://www.loc.gov/mods/v3" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"><mods:titleInfo><mods:title>Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5</mods:title></mods:titleInfo><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">А. В.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Саченко</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">А. Е.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Беляев</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Н. С.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Болтовец</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Р. В.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Конакова</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Я. Я.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Кудрик</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">С. В.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Новицкий</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">В. Н.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Шеремет</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Ю. В.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Быков</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Ю. В.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Егоров</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">А. Г.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Еремеев</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:abstract>Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов &#13;
к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-&#13;
ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-&#13;
контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов. &#13;
Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-&#13;
дит к уменьшению удельного контактного сопротивления. &#13;
</mods:abstract><mods:classification authority="lcc">QC Physics</mods:classification><mods:classification authority="lcc">TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering</mods:classification><mods:originInfo><mods:dateIssued encoding="iso8061">2012-10</mods:dateIssued></mods:originInfo><mods:originInfo><mods:publisher>Томск: Изд. ТПУ</mods:publisher></mods:originInfo><mods:genre>Article</mods:genre></mods:mods>