<mods:mods version="3.3" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-3.xsd" xmlns:mods="http://www.loc.gov/mods/v3" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"><mods:titleInfo><mods:title>A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to  semiconductors with high dislocation density</mods:title></mods:titleInfo><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">А. V.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Sachenкo</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">А. Е.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Belyaev</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">N. S.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Boltovets</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">R. V.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Konaкova</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">Y. Y.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Kudryк</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">S. V.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Novytsкyі</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">V. N.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Sheremet</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">J.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Lі</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:name type="personal"><mods:namePart type="given">S. А.</mods:namePart><mods:namePart type="family">Vіtusevіch</mods:namePart><mods:role><mods:roleTerm type="text">author</mods:roleTerm></mods:role></mods:name><mods:abstract>About new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to  semiconductors with high dislocation density </mods:abstract><mods:classification authority="lcc">QC Physics</mods:classification><mods:classification authority="lcc">TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering</mods:classification><mods:originInfo><mods:dateIssued encoding="iso8061">2012-07</mods:dateIssued></mods:originInfo><mods:originInfo><mods:publisher>Zurich, Switzerland</mods:publisher></mods:originInfo><mods:genre>Article</mods:genre></mods:mods>