Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAsО. Є.БєляєвauthorО. В.БобильauthorВ. М.ІвановauthorР. В.КонаковаauthorЯ. Я.КудрикauthorС. В.НовицкийauthorА. В.СаченкоauthorQC PhysicsTK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering2013-09-25Patent