<oai_dc:dc xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">
        <dc:relation>http://eprints.zu.edu.ua/11036/</dc:relation>
        <dc:title>Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs</dc:title>
        <dc:creator>Бєляєв, О. Є.</dc:creator>
        <dc:creator>Бобиль, О. В.</dc:creator>
        <dc:creator>Іванов, В. М.</dc:creator>
        <dc:creator>Конакова, Р. В.</dc:creator>
        <dc:creator>Кудрик, Я. Я.</dc:creator>
        <dc:creator>Новицкий, С. В.</dc:creator>
        <dc:creator>Саченко, А. В.</dc:creator>
        <dc:subject>QC Physics</dc:subject>
        <dc:subject>TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering</dc:subject>
        <dc:date>2013-09-25</dc:date>
        <dc:type>Patent</dc:type>
        <dc:type>NonPeerReviewed</dc:type>
        <dc:format>text</dc:format>
        <dc:language>uk</dc:language>
        <dc:identifier>http://eprints.zu.edu.ua/11036/1/%D0%9E%D0%B1%D1%8A%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D0%BD%D1%91%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%BE%D0%BA%D1%83%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82.pdf</dc:identifier>
        <dc:identifier>  ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ  (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs.  u 2013 03026.   </dc:identifier>
        <dc:relation>u 2013 03026</dc:relation>
        <dc:language>ukraine</dc:language></oai_dc:dc>