<oai_dc:dc xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">
        <dc:relation>http://eprints.zu.edu.ua/2649/</dc:relation>
        <dc:title>Very-Low-Frequency (VLF) Investigations of the MOSFET's High-Order Derivatives. &#13;
</dc:title>
        <dc:creator>Yaкymaкha, О. L.</dc:creator>
        <dc:creator>Kalnіbolotsкіj, Y. М.</dc:creator>
        <dc:subject>QC Physics</dc:subject>
        <dc:description>Описана плоска "атомоподібна структура", що утворюється на поверхні розділу діелектрик - напівпровідник в серійних МДН-транзисторах в режимі надсильної інверсії.</dc:description>
        <dc:publisher>Pergamon</dc:publisher>
        <dc:date>1995-05</dc:date>
        <dc:type>Article</dc:type>
        <dc:type>PeerReviewed</dc:type>
        <dc:format>application/pdf</dc:format>
        <dc:language>en</dc:language>
        <dc:identifier>http://eprints.zu.edu.ua/2649/1/SSE_95_black.pdf</dc:identifier>
        <dc:identifier>  Yaкymaкha, О. L. and Kalnіbolotsкіj, Y. М.  (1995) Very-Low-Frequency (VLF) Investigations of the MOSFET's High-Order Derivatives.  Solid State Electronics, 38 (3).  pp. 661-671.  ISSN 0038-1101     </dc:identifier>
        <dc:relation>http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/103/description#description</dc:relation>
        <dc:language>english</dc:language></oai_dc:dc>