Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBrІ. О.ШелюкauthorЗ. Ф.ТомашикauthorВ. М.ТомашикauthorІ. Б.СтратійчукauthorР. О.ДенисюкauthorДосліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.QD Chemistry2011-03-15Прикарпатський національний університет ім. Василя СтефаникаArticle