<oai_dc:dc xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">
        <dc:relation>http://eprints.zu.edu.ua/8658/</dc:relation>
        <dc:title>Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr</dc:title>
        <dc:creator>Шелюк, І. О.</dc:creator>
        <dc:creator>Томашик, З. Ф.</dc:creator>
        <dc:creator>Томашик, В. М.</dc:creator>
        <dc:creator>Стратійчук, І. Б.</dc:creator>
        <dc:creator>Денисюк, Р. О.</dc:creator>
        <dc:subject>QD Chemistry</dc:subject>
        <dc:description>Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.</dc:description>
        <dc:publisher>Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника</dc:publisher>
        <dc:date>2011-03-15</dc:date>
        <dc:type>Article</dc:type>
        <dc:type>PeerReviewed</dc:type>
        <dc:format>text</dc:format>
        <dc:language>uk</dc:language>
        <dc:identifier>http://eprints.zu.edu.ua/8658/1/C_10_Shelyuk_Tomashyk_G%5B1%5D.pdf</dc:identifier>
        <dc:identifier>  Шелюк, І. О. and Томашик, З. Ф. and Томашик, В. М. and Стратійчук, І. Б. and Денисюк, Р. О.  (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr.  ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2).  pp. 411-415.  ISSN 1729-4428     </dc:identifier>
        <dc:language>ukraine</dc:language></oai_dc:dc>