relation: http://eprints.zu.edu.ua/10519/
title: Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)
creator: Беляев, А. Е.
creator: Болтовец, Н. С.
creator: Иванов, В. Н.
creator: Конакова, Р. В.
creator: Кудрик, Я. Я.
creator: Миленин, В. В.
creator: Новицкий, С. В.
creator: Шеремет, В. Н.
subject: QC Фізика
subject: TK Радіотехніка. Атомна енергетика
description: Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-  действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-  ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-  ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-  шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).  Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-  ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.
publisher: Томский государственный университет
date: 2011
type: Стаття
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/10519/1/14.pdf
identifier:   Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н.  (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN).  Известия вузов. Физика (1-2).  с. 74-77.      
language: russian