%0 Journal Article
%A Беляев, А. Е.
%A Болтовец, Н. С.
%A Иванов, В. Н.
%A Конакова, Р. В.
%A Кудрик, Я. Я.
%A Миленин, В. В.
%A Новицкий, С. В.
%A Шеремет, В. Н.
%D 2011
%F zu2:10519
%I Томский государственный университет
%J Известия вузов. Физика
%N 1-2
%P 74-77
%T Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)
%U http://eprints.zu.edu.ua/10519/
%X Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-  действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-  ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-  ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-  шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).  Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-  ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.