eprintid: 10519
rev_number: 26
eprint_status: archive
userid: 11
dir: disk0/00/01/05/19
datestamp: 2014-02-03 07:39:23
lastmod: 2015-08-15 05:39:06
status_changed: 2014-02-03 07:39:23
type: article
metadata_visibility: show
title: Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)
language: russian
abstract: Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-
действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-
ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-
ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-
шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).
Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-
ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.
creators_name: Беляев, А. Е.
creators_name: Болтовец, Н. С.
creators_name: Иванов, В. Н.
creators_name: Конакова, Р. В.
creators_name: Кудрик, Я. Я.
creators_name: Миленин, В. В.
creators_name: Новицкий, С. В.
creators_name: Шеремет, В. Н.
ispublished: pub
subjects: QC
subjects: TK
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2011
date_type: published
publication: Известия вузов. Физика
number: 1-2
publisher: Томский государственный университет
pagerange: 74-77
refereed: TRUE
citation:   Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н.  (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN).  Известия вузов. Физика (1-2).  с. 74-77.      
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/10519/1/14.pdf