relation: http://eprints.zu.edu.ua/10522/
title: Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)
creator: Беляев, А. Е.
creator: Саченко, А. В.
creator: Болтовец, Н. С.
creator: Иванов, В. Н.
creator: Конакова, Р. В.
creator: Кудрик, Я. Я.
creator: Матвеева, Л. А.
creator: Миленин, В. В.
creator: Новицкий, С. В.
creator: Шеремет, В. Н.
subject: QC Фізика
subject: TK Радіотехніка. Атомна енергетика
description: Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со-  противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n  +−n  ++(GaAs)-InP до и после кратковременной  (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во  всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и  теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в  приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.  
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
date: 2012
type: Стаття
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/10522/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F%202012%20T46%20%D0%924%20p558-561.pdf
identifier:   Беляев, А. Е., Саченко, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Матвеева, Л. А., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н.  (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP).  Физика и техника полупроводников, 46 (4).  с. 558-561.  ISSN 0015-3222     
relation: http://journals.ioffe.ru/ftp/
language: russian