%0 Journal Article
%@ 0015-3222
%A Беляев, А. Е.
%A Саченко, А. В.
%A Болтовец, Н. С.
%A Иванов, В. Н.
%A Конакова, Р. В.
%A Кудрик, Я. Я.
%A Матвеева, Л. А.
%A Миленин, В. В.
%A Новицкий, С. В.
%A Шеремет, В. Н.
%D 2012
%F zu2:10522
%I Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
%J Физика и техника полупроводников
%N 4
%P 558-561
%T Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)
%U http://eprints.zu.edu.ua/10522/
%V 46
%X Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со-  противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n  +−n  ++(GaAs)-InP до и после кратковременной  (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во  всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и  теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в  приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.