eprintid: 10522
rev_number: 21
eprint_status: archive
userid: 11
dir: disk0/00/01/05/22
datestamp: 2014-02-03 07:36:15
lastmod: 2015-08-15 05:39:24
status_changed: 2014-02-03 07:36:15
type: article
metadata_visibility: show
title: Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)
language: russian
abstract: Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со-
противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n
+−n
++(GaAs)-InP до и после кратковременной
(10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во
всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и
теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в
приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.

creators_name: Беляев, А. Е.
creators_name: Саченко, А. В.
creators_name: Болтовец, Н. С.
creators_name: Иванов, В. Н.
creators_name: Конакова, Р. В.
creators_name: Кудрик, Я. Я.
creators_name: Матвеева, Л. А.
creators_name: Миленин, В. В.
creators_name: Новицкий, С. В.
creators_name: Шеремет, В. Н.
ispublished: pub
subjects: QC
subjects: TK
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2012
date_type: published
publication: Физика и техника полупроводников
volume: 46
number: 4
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
pagerange: 558-561
refereed: TRUE
issn: 0015-3222
official_url: http://journals.ioffe.ru/ftp/
citation:   Беляев, А. Е., Саченко, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Матвеева, Л. А., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н.  (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP).  Физика и техника полупроводников, 46 (4).  с. 558-561.  ISSN 0015-3222     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/10522/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F%202012%20T46%20%D0%924%20p558-561.pdf