relation: http://eprints.zu.edu.ua/10536/
title: Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5
creator: Саченко, А. В.
creator: Беляев, А. Е.
creator: Болтовец, Н. С.
creator: Конакова, Р. В.
creator: Кудрик, Я. Я.
creator: Новицкий, С. В.
creator: Шеремет, В. Н.
creator: Быков, Ю. В.
creator: Егоров, Ю. В.
creator: Еремеев, А. Г.
subject: QC Фізика
subject: TK Радіотехніка. Атомна енергетика
description: Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов   к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-  ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-  контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.   Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-  дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.   
publisher: Томск: Изд. ТПУ
date: 2012-10
type: Стаття
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/10536/1/333-336_Konakova.pdf
identifier:   Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Быков, Ю. В., Егоров, Ю. В., Еремеев, А. Г.  (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5.  Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября).  с. 333-336.      
relation: http://portal.tpu.ru/science/konf/rtep
language: russian