%0 Journal Article
%A Саченко, А. В.
%A Беляев, А. Е.
%A Болтовец, Н. С.
%A Конакова, Р. В.
%A Кудрик, Я. Я.
%A Новицкий, С. В.
%A Шеремет, В. Н.
%A Быков, Ю. В.
%A Егоров, Ю. В.
%A Еремеев, А. Г.
%D 2012
%F zu2:10536
%I Томск: Изд. ТПУ
%J Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября)
%P 333-336
%T Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5
%U http://eprints.zu.edu.ua/10536/
%X Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов   к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-  ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-  контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.   Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-  дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.