eprintid: 11007
rev_number: 18
eprint_status: archive
userid: 11
dir: disk0/00/01/10/07
datestamp: 2014-04-14 06:09:01
lastmod: 2015-08-15 06:15:20
status_changed: 2014-04-14 06:09:01
type: patent
metadata_visibility: show
title: Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
language: ukraine
creators_name: Бєляєв, О. Є.
creators_name: Болтовець, М. С.
creators_name: Конакова, Р. В.
creators_name: Мілєнін, В. В.
creators_name: Кудрик, Я. Я.
creators_name: Шеремет, В. Н.
creators_name: Новийький, С. В.
ispublished: pub
subjects: QC
subjects: TK
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2011-07-25
date_type: published
pages: 3
id_number: u 2010 15698
patent_applicant: ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ
citation:   ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ  (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників.  u 2010 15698.   
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/11007/1/UA61621_1.pdf