<> "The repository administrator has not yet configured an RDF license."^^ . <> . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs"^^ . "2013-09-25" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "В. М."^^ . "Іванов"^^ . "В. М. Іванов"^^ . . "О. Є."^^ . "Бєляєв"^^ . "О. Є. Бєляєв"^^ . . "С. В."^^ . "Новицкий"^^ . "С. В. Новицкий"^^ . . "Я. Я."^^ . "Кудрик"^^ . "Я. Я. Кудрик"^^ . . "А. В."^^ . "Саченко"^^ . "А. В. Саченко"^^ . . "О. В."^^ . "Бобиль"^^ . "О. В. Бобиль"^^ . . "Р. В."^^ . "Конакова"^^ . "Р. В. Конакова"^^ . . . . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs (Text)"^^ . . . "Объединённый_документ.pdf"^^ . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs (Інший)"^^ . . . . . . "lightbox.jpg"^^ . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs (Інший)"^^ . . . . . . "preview.jpg"^^ . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs (Інший)"^^ . . . . . . "medium.jpg"^^ . . . "Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs (Інший)"^^ . . . . . . "small.jpg"^^ . . "HTML Summary of #11036 \n\nПатент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs\n\n" . "text/html" . . . "QC Physics"@en . "QC Фізика"@uk . . . "TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering"@en . "TK Радіотехніка. Атомна енергетика"@uk . .