eprintid: 11036
rev_number: 24
eprint_status: archive
userid: 11
dir: disk0/00/01/10/36
datestamp: 2014-04-23 06:42:33
lastmod: 2015-08-15 06:16:41
status_changed: 2014-04-23 06:42:33
type: patent
metadata_visibility: show
title: Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs
language: ukraine
creators_name: Бєляєв, О. Є.
creators_name: Бобиль, О. В.
creators_name: Іванов, В. М.
creators_name: Конакова, Р. В.
creators_name: Кудрик, Я. Я.
creators_name: Новицкий, С. В.
creators_name: Саченко, А. В.
ispublished: pub
subjects: QC
subjects: TK
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2013-09-25
date_type: published
pages: 9
id_number: u 2013 03026
patent_applicant: ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ
citation:   ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ  (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs.  u 2013 03026.   
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/11036/1/%D0%9E%D0%B1%D1%8A%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D0%BD%D1%91%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%BE%D0%BA%D1%83%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82.pdf