relation: http://eprints.zu.edu.ua/11501/
title: Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure  based on AlGaAs/GaAs semiconductor.
creator: Будник, Т.
subject: T Технологія (Загальне)
description: Transport of charge carriers in low-dimensional structures is often caused   by tunneling effect. Tunneling means transiting of electron through the area limited   by the potential energy barrier higher than the energy of electron [1]. Tunneling of   electrons in low dimensional structures is determined not only by the energy of   potential barriers, but also by allowed energy states for electrons within the   structure. 
publisher: Видавництво ЖДУ ім. Івана Франка
date: 2014-04-15
type: Стаття
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/11501/1/Microsoft%20Word%20-%20Budnyk_.pdf
identifier:   Будник, Т.  (2014) Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure based on AlGaAs/GaAs semiconductor.  Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей.  с. 15-17.      
language: english