%0 Journal Article
%A Будник, Т.
%D 2014
%F zu2:11501
%I Видавництво ЖДУ ім. Івана Франка
%J Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей
%P 15-17
%T Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure  based on AlGaAs/GaAs semiconductor.
%U http://eprints.zu.edu.ua/11501/
%X Transport of charge carriers in low-dimensional structures is often caused   by tunneling effect. Tunneling means transiting of electron through the area limited   by the potential energy barrier higher than the energy of electron [1]. Tunneling of   electrons in low dimensional structures is determined not only by the energy of   potential barriers, but also by allowed energy states for electrons within the   structure.