eprintid: 11501
rev_number: 19
eprint_status: archive
userid: 4104
dir: disk0/00/01/15/01
datestamp: 2014-06-16 11:00:00
lastmod: 2015-08-15 06:48:52
status_changed: 2014-06-16 11:00:00
type: article
metadata_visibility: show
title: Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure
based on AlGaAs/GaAs semiconductor.
language: english
abstract: Transport of charge carriers in low-dimensional structures is often caused 
by tunneling effect. Tunneling means transiting of electron through the area limited 
by the potential energy barrier higher than the energy of electron [1]. Tunneling of 
electrons in low dimensional structures is determined not only by the energy of 
potential barriers, but also by allowed energy states for electrons within the 
structure. 
creators_name: Будник, Т.
ispublished: pub
subjects: T1
divisions: kaf_in_mov
full_text_status: public
date: 2014-04-15
date_type: published
publication: Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей
publisher: Видавництво ЖДУ ім. Івана Франка
pagerange: 15-17
refereed: TRUE
citation:   Будник, Т.  (2014) Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure based on AlGaAs/GaAs semiconductor.  Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей.  с. 15-17.      
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/11501/1/Microsoft%20Word%20-%20Budnyk_.pdf