%0 Journal Article
%A Шеремет, В. М.
%A Сай, П. О.
%D 2014
%F zu2:14145
%J Вісник ЖДТУ
%N 1
%P 1-102
%T Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N
%U http://eprints.zu.edu.ua/14145/
%X В статті розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджені структурні і електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідним дислокаціям з дифузійним обмеженням носіїв струму.