eprintid: 14145
rev_number: 12
eprint_status: archive
userid: 1567
dir: disk0/00/01/41/45
datestamp: 2014-11-25 12:17:01
lastmod: 2015-08-15 10:28:31
status_changed: 2014-11-25 12:17:01
type: article
metadata_visibility: show
title: Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N
language: ukraine
abstract: В статті розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджені структурні і електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідним дислокаціям з дифузійним обмеженням носіїв струму.
creators_name: Шеремет, В. М.
creators_name: Сай, П. О.
creators_id: sajpasha@gmail.com
ispublished: pub
subjects: QC
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2014
date_type: published
publication: Вісник ЖДТУ
number: 1
pagerange: 1-102
refereed: TRUE
citation:   Шеремет, В. М., Сай, П. О.  (2014) Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N.  Вісник ЖДТУ (1).  с. 1-102.      
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/14145/1/%D0%92%D1%96%D1%81%D0%BD%D0%B8%D0%BA%20%D0%96%D0%94%D0%A2%D0%A3_2014_1_102.pdf