relation: http://eprints.zu.edu.ua/14146/
title: Токоперенос по металлическим шунтам  в омических контактах к n+-Si
creator: Шеремет, В. Н.
creator: Саченко, А. В.
creator: Беляев, А. Е.
creator: Пилипенко, В. А.
creator: Петлицкая, Т. В.
creator: Анищик, В. А.
creator: Болтовец, Н. С.
creator: Конакова, Р. В.
creator: Кудрик, Я. Я.
creator: Виноградов, А. О.
subject: QC Фізика
description: Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
date: 2014
type: Стаття
type: PeerReviewed
format: text
language: uk
identifier: http://eprints.zu.edu.ua/14146/1/p509-513.pdf
identifier:   Шеремет, В. Н., Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Пилипенко, В. А., Петлицкая, Т. В., Анищик, В. А., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Виноградов, А. О.  (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si.  Физика и техника полупроводников, 48 (4).  с. 509-513.  ISSN 0015-3222     
language: russian