%0 Journal Article
%@ 0015-3222
%A Шеремет, В. Н.
%A Саченко, А. В.
%A Беляев, А. Е.
%A Пилипенко, В. А.
%A Петлицкая, Т. В.
%A Анищик, В. А.
%A Болтовец, Н. С.
%A Конакова, Р. В.
%A Кудрик, Я. Я.
%A Виноградов, А. О.
%D 2014
%F zu2:14146
%I Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
%J Физика и техника полупроводников
%N 4
%P 509-513
%T Токоперенос по металлическим шунтам  в омических контактах к n+-Si
%U http://eprints.zu.edu.ua/14146/
%V 48
%X Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.