eprintid: 14146
rev_number: 15
eprint_status: archive
userid: 1567
dir: disk0/00/01/41/46
datestamp: 2014-11-25 12:18:14
lastmod: 2015-08-15 10:28:34
status_changed: 2014-11-25 12:18:14
type: article
metadata_visibility: show
title: Токоперенос по металлическим шунтам  в омических контактах к n+-Si
language: russian
abstract: Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
creators_name: Шеремет, В. Н.
creators_name: Саченко, А. В.
creators_name: Беляев, А. Е.
creators_name: Пилипенко, В. А.
creators_name: Петлицкая, Т. В.
creators_name: Анищик, В. А.
creators_name: Болтовец, Н. С.
creators_name: Конакова, Р. В.
creators_name: Кудрик, Я. Я.
creators_name: Виноградов, А. О.
ispublished: pub
subjects: QC
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2014
date_type: published
publication: Физика и техника полупроводников
volume: 48
number: 4
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
pagerange: 509-513
refereed: TRUE
issn: 0015-3222
citation:   Шеремет, В. Н., Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Пилипенко, В. А., Петлицкая, Т. В., Анищик, В. А., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Виноградов, А. О.  (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si.  Физика и техника полупроводников, 48 (4).  с. 509-513.  ISSN 0015-3222     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/14146/1/p509-513.pdf