%0 Journal Article
%@ 2223-1722
%A Гвоздієвський, Є. Є.
%A Денисюк, Р. О.
%A Томашик, В. М.
%A Томашик, З. Ф.
%A Гриців, В. І.
%D 2013
%F zu2:14526
%I Чернівецький національний університет
%J Науковий вісник Чернівецького університету
%K напівпровідник, тверді розчини, монокристал, травник, Поверхня, хімічне  травлення, полірування.
%N 658
%P 136-140
%T Хімічне полірування CdTe та твердих розчинів ZnXCd1-XTe і Cd1-XHgXTe водними розчинами HNO3–ні–тартратна кислота
%U http://eprints.zu.edu.ua/14526/
%X Досліджено процеси хімічного розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і Cd0,2Hg0,8Te в водних розчинах HNO3–НІ–тартратна кислота. Визначено залежності швидкості травлення вказаних матеріалів від концентрації окиснювача та органічного розчинника і кінетичні  особливості процесу. Встановлено, що швидкість розчинення твердих розчинів Zn0,04Cd0,96Te, Zn0,1Cd0,9Te та Cd0,2Hg0,8Te в досліджуваних травильних сумішах сповільнюється із збільшенням вмісту  окислювача і тартратної кислоти. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-  динамічного полірування поверхні монокристалів досліджуваних напівпровідникових матеріалів.