eprintid: 20718
rev_number: 12
eprint_status: archive
userid: 1567
dir: disk0/00/02/07/18
datestamp: 2016-04-07 12:17:50
lastmod: 2016-04-07 12:19:44
status_changed: 2016-04-07 12:17:50
type: article
metadata_visibility: show
title: Уровни прилипания в кристаллах дифосфида цинка тетрагональной модификации
language: russian
learntype: narrativetext
creators_name: Ткаченко, О. К.
creators_name: Горбань, І. С.
creators_name: Гуменюк, А. Ф.
creators_name: Грищенко, Г. А.
creators_name: Тичина, І. І.
ispublished: pub
subjects: QC
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 1978
date_type: published
publication: Физика и техника полупроводников
volume: 12
number: 2
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
pagerange: 410-413
refereed: TRUE
issn: 0015-3222
citation:   Ткаченко, О. К., Горбань, І. С., Гуменюк, А. Ф., Грищенко, Г. А., Тичина, І. І.  (1978) Уровни прилипания в кристаллах дифосфида цинка тетрагональной модификации.  Физика и техника полупроводников, 12 (2).  с. 410-413.  ISSN 0015-3222     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/20718/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F-1978-%D0%A212%282%29-%D1%81410-413.pdf