eprintid: 2649
rev_number: 28
eprint_status: archive
userid: 111
dir: disk0/00/00/26/49
datestamp: 2009-02-09 13:04:26
lastmod: 2015-08-18 12:41:14
status_changed: 2009-02-09 13:04:26
type: article
metadata_visibility: show
item_issues_count: 0
title: Very-Low-Frequency (VLF) Investigations of the MOSFET's High-Order Derivatives. 

language: english
abstract: Описана плоска "атомоподібна структура", що утворюється на поверхні розділу діелектрик - напівпровідник в серійних МДН-транзисторах в режимі надсильної інверсії.
creators_name: Yaкymaкha, О. L.
creators_name: Kalnіbolotsкіj, Y. М.
creators_id: oyakymakha@ukr.net
ispublished: pub
subjects: QC
full_text_status: public
date: 1995-05
date_type: published
publication: Solid State Electronics
volume: 38
number: 3
publisher: Pergamon
pagerange: 661-671
refereed: TRUE
issn: 0038-1101
official_url: http://www.elsevier.com/wps/find/journaldescription.cws_home/103/description#description
citation:   Yaкymaкha, О. L., Kalnіbolotsкіj, Y. М.  (1995) Very-Low-Frequency (VLF) Investigations of the MOSFET's High-Order Derivatives.  Solid State Electronics, 38 (3).  с. 661-671.  ISSN 0038-1101     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/2649/1/SSE_95_black.pdf