eprintid: 8348
rev_number: 12
eprint_status: archive
userid: 1567
dir: disk0/00/00/83/48
datestamp: 2012-11-21 11:58:03
lastmod: 2015-08-27 15:23:03
status_changed: 2012-11-21 11:58:03
type: article
metadata_visibility: show
title: Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в Si пластинах по кинетике избыточного теплового излучения
language: russian
abstract: В работе представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в Si пластинах. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 мкм и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y. В работе представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в Si пластинах. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 мкм и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y. 
keywords: скорости поверхностной рекомбинации, избыточное тепловое излучение, время жизни 
coverage: Физика твердого тела
creators_name: Богатыренок, В. В.
creators_name: Зиновчук, А. В.
ispublished: pub
subjects: QC
divisions: sch_phy
full_text_status: public
date: 2010
date_type: published
publication: Физика и техника полупроводников
volume: 45
number: 1
publisher: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
pagerange: 62-66
refereed: TRUE
issn: 0015-3222
official_url: http://journals.ioffe.ru/ftp/
citation:   Богатыренок, В. В., Зиновчук, А. В.  (2010) Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в Si пластинах по кинетике избыточного теплового излучения.  Физика и техника полупроводников, 45 (1).  с. 62-66.  ISSN 0015-3222     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/8348/1/p62-66.pdf