%0 Journal Article
%@ 1560-8034
%A Денисюк, Р. О.
%A Томашик, В. М.
%A Томашик, З. Ф.
%A Чернюк, О. С.
%A Гриців, В. І.
%D 2009
%F zu2:8599
%I Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
%J Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
%K Кадмій телурид, хімічне розчинення, цитратна кислота, напівпровідник, твердий розчин, травлення.
%N 2
%P 125-128
%T Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2 – HI – citratic acid etchant compositions
%U http://eprints.zu.edu.ua/8599/
%V 12
%X У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено характер розчинення CdTe та Cd1-xMnxTe в розчинах системи НІ – Н2О2 – цитратна кислота. Побудовані поверхні однакових швидкостей розчинення (діаграми Гіббса), визначені лімітуючі стадії процесу розчинення вказаних напівпровідників. Встановлено області поліруючих, селективних та не поліруючих розчинів у вказаних системах. Виявлено, що внесення в твердий розчин Mn призводить до зменшення швидкості травлення та збільшення діапазону поліруючих розчинів.