eprintid: 8599
rev_number: 21
eprint_status: archive
userid: 2592
dir: disk0/00/00/85/99
datestamp: 2012-12-07 12:29:30
lastmod: 2015-09-26 18:12:10
status_changed: 2012-12-07 12:29:30
type: article
metadata_visibility: show
contact_email: denisuk@zu.edu.ua
title: Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2 – HI – citratic acid etchant compositions
language: english
abstract: У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено характер розчинення CdTe та Cd1-xMnxTe в розчинах системи НІ – Н2О2 – цитратна кислота. Побудовані поверхні однакових швидкостей розчинення (діаграми Гіббса), визначені лімітуючі стадії процесу розчинення вказаних напівпровідників. Встановлено області поліруючих, селективних та не поліруючих розчинів у вказаних системах. Виявлено, що внесення в твердий розчин Mn призводить до зменшення швидкості травлення та збільшення діапазону поліруючих розчинів.
keywords: Кадмій телурид, хімічне розчинення, цитратна кислота, напівпровідник, твердий розчин, травлення.
status: final
role: author
datecontr: 2009
creators_name: Денисюк, Р. О.
creators_name: Томашик, В. М.
creators_name: Томашик, З. Ф.
creators_name: Чернюк, О. С.
creators_name: Гриців, В. І.
creators_id: denisuk@zu.edu.ua
ispublished: pub
subjects: QD
divisions: sch_che
full_text_status: public
date: 2009-03-20
date_type: published
publication: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
volume: 12
number: 2
publisher: Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
pagerange: 125-128
refereed: TRUE
issn: 1560-8034
citation:   Денисюк, Р. О., Томашик, В. М., Томашик, З. Ф., Чернюк, О. С., Гриців, В. І.  (2009) Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2 – HI – citratic acid etchant compositions.  Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 12 (2).  с. 125-128.  ISSN 1560-8034     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/8599/1/CdMnTe_H2O2-HI-citrat_SPQEO_2009_12.pdf