%0 Journal Article
%@ 1729-4428
%A Шелюк, І. О.
%A Томашик, З. Ф.
%A Томашик, В. М.
%A Стратійчук, І. Б.
%A Денисюк, Р. О.
%D 2011
%F zu2:8658
%I Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника
%J ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА
%K Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
%N 2
%P 411-415
%T Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr
%U http://eprints.zu.edu.ua/8658/
%V 12
%X Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.