eprintid: 8658
rev_number: 12
eprint_status: archive
userid: 2592
dir: disk0/00/00/86/58
datestamp: 2012-12-07 11:42:00
lastmod: 2015-08-15 02:43:40
status_changed: 2012-12-07 11:42:00
type: article
metadata_visibility: show
title: Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr
language: ukraine
abstract: Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.
keywords: Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
status: final
role: author
creators_name: Шелюк, І. О.
creators_name: Томашик, З. Ф.
creators_name: Томашик, В. М.
creators_name: Стратійчук, І. Б.
creators_name: Денисюк, Р. О.
ispublished: pub
subjects: QD
divisions: sch_che
full_text_status: public
date: 2011-03-15
date_type: published
publication: ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА
volume: 12
number: 2
publisher: Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника
pagerange: 411-415
refereed: TRUE
issn: 1729-4428
citation:   Шелюк, І. О., Томашик, З. Ф., Томашик, В. М., Стратійчук, І. Б., Денисюк, Р. О.  (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr.  ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2).  с. 411-415.  ISSN 1729-4428     
document_url: http://eprints.zu.edu.ua/8658/1/C_10_Shelyuk_Tomashyk_G%5B1%5D.pdf