Електронна бібліотека Житомирського державного університету: Ніяких умов. Результати впорядковані-Дата внесення. 2024-03-28T09:41:55ZEPrintshttp://eprints.zu.edu.ua/images/logo2.gifhttp://eprints.zu.edu.ua/2014-02-03T07:39:55Z2015-08-26T22:07:15Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10516Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105162014-02-03T07:39:55ZРадиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60CoИсследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических
контактов.А. Е. БеляевН. С. БолтовецА. В. БобыльВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукВ. П. КладькоР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикА. А. КорчевойО. С. ЛитвинВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:37:02Z2015-08-15T05:39:18Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105212014-02-03T07:37:02ZТемпературная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокацийНа основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
А. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийД. А. СаксеевИ. С. ТарасовВ. Н. ШереметМ. А. Яговкина2014-02-03T07:29:19Z2015-08-15T05:39:40Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10526Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105262014-02-03T07:29:19ZРадиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьерыВ статье идет речь об радиационных эффектах в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры А. Е. БеляевН. С. БолтовецА. В. БобыльВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукВ. П. КладькоР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикО. С. ЛитвинВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:02:00Z2015-08-15T05:40:05Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10537Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105372014-02-03T07:02:00ZНаноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийВ статье идет речь про наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийА. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецА. О. ВиноградовР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-01-31T06:53:39Z2015-08-15T05:38:16Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10514Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105142014-01-31T06:53:39ZДиоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактахУ статті розкривається суть міжфазних взаємодій в катодних контактах.Н. С. БолтовецВ. Н. ИвановВ. М. КовтонюкН. С. РаевскаяА. Е. БеляевА. В. БобыльР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет